Novel polybenzoxazole compound having high heat resistance, composition comprising same for forming organic insulator, and thin layer transistor using novel polybenzoxazole compound having high heat-resistance
WO2013151228
Art A1
10. Oktober 2013
Anmelder: Korea Research Institute of Chemical Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013151228
- Aktenzeichen
- EP13772487
- Anmeldetag
- 10. Januar 2013
- Veröffentlichung
- 10. Oktober 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C08G61/12C08L65/00H01B3/30H01L51/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Korea Research Institute of Chemical Technology
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Korea Research Institute of Chemical Technology
Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon, tätig in der Entwicklung von Chemikalien, Materialien und Verfahrenstechnik.
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