Bipolar junction transistor with improved avalanche capability

WO2013152003 Art A1 10. Oktober 2013

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013152003
Aktenzeichen: EP13715876
Anmeldetag: 2. April 2013
Veröffentlichung: 10. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/73H01L29/06H01L29/74H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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