Resistive random access memory of small electrode structure and preparation method therefor

WO2013152536 Art A1 17. Oktober 2013

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013152536
Aktenzeichen: EP12874148
Anmeldetag: 2. Mai 2012
Veröffentlichung: 17. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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