Silicon for solar cell, polycrystalline silicon material, polycrystalline silicon solar cell, and method for producing silicon for solar cell

WO2013153688 Art A1 17. Oktober 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013153688
Aktenzeichen: EP12874199
Anmeldetag: 6. September 2012
Veröffentlichung: 17. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C01B33/02C01B33/037H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.803 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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