Power semiconductor device and method for producing same

WO2013153856 Art A1 17. Oktober 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013153856
Aktenzeichen: EP13775503
Anmeldetag: 21. Februar 2013
Veröffentlichung: 17. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/337H01L21/338H01L27/098H01L29/06H01L29/808H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von