Graphene oxide, positive electrode for nonaqueous secondary battery using graphene oxide, method of manufacturing positive electrode for nonaqueous secondary battery, nonaqueous secondary battery, and electronic device

WO2013153931 Art A1 17. Oktober 2013

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013153931
Aktenzeichen: EP13776033
Anmeldetag: 14. März 2013
Veröffentlichung: 17. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C01B31/00C01B25/45H01M4/13H01M4/136H01M4/139H01M4/1397H01M4/58H01M4/62

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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