Aspect ratio dependent deposition to improve gate spacer profile, fin-loss and hardmask-loss for finfet scheme

WO2013154842 Art A1 17. Oktober 2013

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013154842
Aktenzeichen: EP13775369
Anmeldetag: 28. März 2013
Veröffentlichung: 17. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/772H01L21/336H01L21/4763

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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