Layer-layer etch of non volatile materials

WO2013154867 Art A1 17. Oktober 2013

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013154867
Aktenzeichen: EP13776247
Anmeldetag: 2. April 2013
Veröffentlichung: 17. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/8247H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von