Method for realizing isolation among active regions of germanium-based mos device

WO2013155775 Art A1 24. Oktober 2013

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013155775
Aktenzeichen: EP12874828
Anmeldetag: 14. Juni 2012
Veröffentlichung: 24. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762H01L21/763H01L21/76

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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