Method for preparing polycrystalline film, polycrystalline film, and thin-film transistor made of same

WO2013159468 Art A1 31. Oktober 2013

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013159468
Aktenzeichen: EP12875031
Anmeldetag: 2. August 2012
Veröffentlichung: 31. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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