Epitaxiesubstrat, Verfahren zur Herstellung eines Epitaxiesubstrats und Optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Epitaxiesubstrat

WO2013160343 Art A1 31. Oktober 2013

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013160343
Aktenzeichen: EP13719790
Anmeldetag: 24. April 2013
Veröffentlichung: 31. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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