Method for forming silicon nitride semiconductor thin film and silicon nitride semiconductor substrate

WO2013161022 Art A1 31. Oktober 2013

Anmelder: Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013161022
Aktenzeichen: EP12875085
Anmeldetag: 25. April 2012
Veröffentlichung: 31. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20C30B29/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissin Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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