Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

WO2013161449 Art A1 31. Oktober 2013

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd., National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013161449
Aktenzeichen: EP13781371
Anmeldetag: 18. März 2013
Veröffentlichung: 31. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/47H01L21/336H01L29/06H01L29/12H01L29/41H01L29/78H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Fuji Electric Co., Ltd.
National Institute Of Advanced Industrial Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von