Method for manufacturing silicon carbide semiconductor element

WO2013161450 Art A1 31. Oktober 2013

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd., National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013161450
Aktenzeichen: EP13780793
Anmeldetag: 18. März 2013
Veröffentlichung: 31. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/42C30B25/20H01L21/027H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Fuji Electric Co., Ltd.
National Institute Of Advanced Industrial Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von