Field effect transistor and method for manufacturing same, display device, image sensor, and x-ray sensor

WO2013161570 Art A1 31. Oktober 2013

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013161570
Aktenzeichen: EP13780626
Anmeldetag: 10. April 2013
Veröffentlichung: 31. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L21/363H01L27/144H01L27/146

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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