Iii nitride semiconductor multilayer substrate and iii nitride semiconductor field effect transistor

WO2013161704 Art A1 31. Oktober 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013161704
Aktenzeichen: EP13782034
Anmeldetag: 19. April 2013
Veröffentlichung: 31. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338C23C16/34H01L21/205H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.803 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von