Techniques for patterning multilayer magnetic memory devices using ion implantation

WO2013162918 Art A2 31. Oktober 2013

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013162918
Aktenzeichen: EP13721437
Anmeldetag: 12. April 2013
Veröffentlichung: 31. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G11B5/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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