Passivation technique for wide bandgap semiconductor devices
WO2013163137
Art A1
31. Oktober 2013
Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013163137
- Aktenzeichen
- EP13782620
- Anmeldetag
- 23. April 2013
- Veröffentlichung
- 31. Oktober 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Massachusetts Institute of Technology
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Massachusetts Institute of Technology
US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.
5.635 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.