Methods of fabricating dielectric films from metal amidinate precursors

WO2013163343 Art A1 31. Oktober 2013

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013163343
Aktenzeichen: EP13781340
Anmeldetag: 24. April 2013
Veröffentlichung: 31. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/448C23C16/44H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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