Metal Hardmask All in One Integrated Etch

WO2013163796 Art A1 7. November 2013

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013163796
Aktenzeichen: EP12875735
Anmeldetag: 2. Mai 2012
Veröffentlichung: 7. November 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23F1/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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