Growth of cubic crystalline phase structure on silicon substrates and devices comprising the cubic crystalline phase structure

WO2013165620 Art A1 7. November 2013

Anmelder: STC.UNM 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013165620
Aktenzeichen: EP13785329
Anmeldetag: 15. März 2013
Veröffentlichung: 7. November 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L33/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STC.UNM
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Stc.unm

STC.UNM ist die Technologietransfergesellschaft der University of New Mexico in den USA. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik, Pharma-/Biotechnologie und Mess-, Prüf- sowie Halbleitertechnik. Die Anmeldungen von 2001 bis 2020 reichen von Isotopentrennverfahren bis zur elektrischen Impedanzspektroskopie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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