Test method for dynamic breakdown voltage of silicon on insulator mos device

WO2013166956 Art A1 14. November 2013

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013166956
Aktenzeichen: EP13787044
Anmeldetag: 7. Mai 2013
Veröffentlichung: 14. November 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G01R31/12H01L21/66G01R31/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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