Composition and method for forming a dielectric layer

WO2013168159 Art A1 14. November 2013

Anmelder: Ramot at Tel-Aviv University Ltd., Tower Semiconductor Ltd. 🇮🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013168159
Aktenzeichen: EP13787217
Anmeldetag: 7. Mai 2013
Veröffentlichung: 14. November 2013
Rechtsraum: WO
IPC: B82Y30/00H01L21/316H01L21/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Ramot at Tel-Aviv University Ltd.
Tower Semiconductor Ltd.
Land: 🇮🇱 Israel

🇮🇱 Ramot at Tel Aviv University

Ramot at Tel Aviv University ist die Technologietransfergesellschaft der israelischen Universität Tel Aviv, die Forschungsergebnisse der Universität patentiert und kommerzialisiert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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