Method based on standard cmos ic process for manufacturing complementary tunneling field-effect transistor

WO2013170517 Art A1 21. November 2013

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013170517
Aktenzeichen: EP12876628
Anmeldetag: 14. Juni 2012
Veröffentlichung: 21. November 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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