Method for manufacturing nitride semiconductor device
WO2013171975
Art A1
21. November 2013
Anmelder: Sanken Electric Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013171975
- Aktenzeichen
- EP13789967
- Anmeldetag
- 19. April 2013
- Veröffentlichung
- 21. November 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205C23C16/34C30B29/38H01L21/338H01L29/778H01L29/812H01L33/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sanken Electric Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sanken Electric
Sanken Electric ist ein japanischer Hersteller von Leistungshalbleitern und elektronischen Bauelementen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente und elektrische Energietechnik, ergänzt durch Schaltungstechnik. Die Titel betreffen unter anderem Siliziumcarbid-Halbleiterbauelemente und deren Herstellung.
289 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.180 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.