Method for manufacturing nitride semiconductor device

WO2013171975 Art A1 21. November 2013

Anmelder: Sanken Electric Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013171975
Aktenzeichen: EP13789967
Anmeldetag: 19. April 2013
Veröffentlichung: 21. November 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/34C30B29/38H01L21/338H01L29/778H01L29/812H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sanken Electric Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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