Method for manufacturing field-effect transistor

WO2013172236 Art A1 21. November 2013

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013172236
Aktenzeichen: EP13790621
Anmeldetag: 8. Mai 2013
Veröffentlichung: 21. November 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336G02F1/1368H01L21/363H01L27/144H01L27/146H01L29/786H01L51/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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