Dynamic random access memory cell and fabrication method therefor

WO2013174094 Art A1 28. November 2013

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013174094
Aktenzeichen: EP12877199
Anmeldetag: 18. Oktober 2012
Veröffentlichung: 28. November 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L29/78H01L21/8242H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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