Thin film transistor, method for manufacturing same, and array substrate

WO2013174108 Art A1 28. November 2013

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013174108
Aktenzeichen: EP12877110
Anmeldetag: 13. November 2012
Veröffentlichung: 28. November 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: BOE Technology Group Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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