Verfahren zur Herstellung eines Optoelektronischen Halbleiterchips und Optoelektronischer Halbleiterchip
WO2013174579
Art A1
28. November 2013
Anmelder: Osram Opto Semiconductors Gmbh 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013174579
- Aktenzeichen
- EP13717031
- Anmeldetag
- 16. April 2013
- Veröffentlichung
- 28. November 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/00C23C14/18H01L33/32H01L33/40C23C14/04H01L33/00H01L33/38
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Osram Opto Semiconductors Gmbh
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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