Component for plasma processing apparatus, and method for manufacturing component for plasma processing apparatus

WO2013176168 Art A1 28. November 2013

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013176168
Aktenzeichen: EP13794043
Anmeldetag: 22. Mai 2013
Veröffentlichung: 28. November 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065C23C4/10C23C24/04C23C28/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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