Multilayer transition metal dichalcogenide device, and semiconductor device using same

WO2013176387 Art A1 28. November 2013

Anmelder: University-Industry Cooperation Group of Kyung Hee University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013176387
Aktenzeichen: EP13793757
Anmeldetag: 20. März 2013
Veröffentlichung: 28. November 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0256H01L31/10H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: University-Industry Cooperation Group of Kyung Hee University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 University-Industry Cooperation Group of Kyung Hee University

Die University-Industry Cooperation Group of Kyung Hee University ist die Patentverwertungseinrichtung der südkoreanischen Kyung Hee University in Seoul. Das Portfolio verteilt sich auf Medizintechnik und Gesundheit, Nachrichtentechnik und Telekommunikation sowie Halbleitertechnik und Landwirtschaft. Anmeldungen laufen seit 2004 bis in die Gegenwart.

401 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von