Semiconductor structure and method for forming the same

WO2013177855 Art A1 5. Dezember 2013

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013177855
Aktenzeichen: EP12877647
Anmeldetag: 18. Juli 2012
Veröffentlichung: 5. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/04H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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