A method of etching silicon recess of contact holes

WO2013178011 Art A1 5. Dezember 2013

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013178011
Aktenzeichen: EP13797341
Anmeldetag: 9. Mai 2013
Veröffentlichung: 5. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00H01L23/522H01L21/768H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von