Verfahren zur Herstellung einer Aktiven Zone für einen Optoelektronischen Halbleiterchip und Optoelektronischer Halbleiterchip

WO2013178425 Art A1 5. Dezember 2013

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013178425
Aktenzeichen: EP13719874
Anmeldetag: 3. Mai 2013
Veröffentlichung: 5. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/06H01L33/32H01S5/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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