Magnetron sputtering device, magnetron sputtering method, and storage medium

WO2013179548 Art A1 5. Dezember 2013

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013179548
Aktenzeichen: EP13797129
Anmeldetag: 11. April 2013
Veröffentlichung: 5. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/35

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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