Method for drying silicon wafer
WO2013179568
Art A1
5. Dezember 2013
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013179568
- Aktenzeichen
- EP13797437
- Anmeldetag
- 26. April 2013
- Veröffentlichung
- 5. Dezember 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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