Semiconductor device, transistor, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing transistor

WO2013179700 Art A1 5. Dezember 2013

Anmelder: National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013179700
Aktenzeichen: EP13796930
Anmeldetag: 22. Februar 2013
Veröffentlichung: 5. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute Of Advanced Industrial Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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