Oxide for semiconductor layer in thin-film transistor, thin-film transistor, display device, and sputtering target

WO2013180141 Art A1 5. Dezember 2013

Anmelder: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013180141
Aktenzeichen: EP13797947
Anmeldetag: 28. Mai 2013
Veröffentlichung: 5. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/363

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.)
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kobe Steel

Japanischer Mischkonzern mit Sitz in Kobe, gegründet 1905. Tätigkeitsfelder umfassen Stahl- und Aluminiumerzeugnisse, Maschinenbau sowie Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von