Semiconductor device for high-voltage insulated gate power, and method for manufacturing same

WO2013180186 Art A1 5. Dezember 2013

Anmelder: Kyushu Institute of Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013180186
Aktenzeichen: EP13796967
Anmeldetag: 29. Mai 2013
Veröffentlichung: 5. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kyushu Institute of Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyushu Institute of Technology

Das Kyushu Institute of Technology ist eine japanische staatliche Technische Universität mit Standorten in Kitakyushu und Iizuka. Das Patentportfolio verteilt sich über Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Software und Medizintechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2005 bis 2025 betreffen unter anderem Potentialdifferenzmessgeräte und Farbstoff-Peptid-Komplexe.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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