Method for manufacturing semiconductor device

WO2013180244 Art A1 5. Dezember 2013

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013180244
Aktenzeichen: EP13797560
Anmeldetag: 30. Mai 2013
Veröffentlichung: 5. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/22H01L21/336H01L21/76H01L21/762H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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