Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film and pattern forming method using the same, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device
WO2013180314
Art A1
5. Dezember 2013
Anmelder: FUJI-FILM Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013180314
- Aktenzeichen
- EP13797400
- Anmeldetag
- 31. Mai 2013
- Veröffentlichung
- 5. Dezember 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/004C08F212/02G03F7/039H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJI-FILM Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujifilm
Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.
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