Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, and display device

WO2013181902 Art A1 12. Dezember 2013

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd., Hefei BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013181902
Aktenzeichen: EP12878387
Anmeldetag: 16. November 2012
Veröffentlichung: 12. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/335G02F1/1362H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BOE Technology Group Co., Ltd.
Hefei BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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