Semiconductor ferroelectric storage transistor and method for manufacturing same

WO2013183547 Art A1 12. Dezember 2013

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013183547
Aktenzeichen: EP13801195
Anmeldetag: 30. Mai 2013
Veröffentlichung: 12. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246C23C14/08H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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