Isolating, at least in part, local row or column circuitry of memory cell before establishing voltage differential to permit reading of cell

WO2013184111 Art A1 12. Dezember 2013

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013184111
Aktenzeichen: EP12878357
Anmeldetag: 6. Juni 2012
Veröffentlichung: 12. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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