Semiconductor light emitting diodes with crack-tolerant barrier structures and methods of fabricating same

WO2013184402 Art A1 12. Dezember 2013

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013184402
Aktenzeichen: EP13801217
Anmeldetag: 24. Mai 2013
Veröffentlichung: 12. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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