Semiconductor structure and method for forming the same
WO2013185523
Art A1
19. Dezember 2013
Anmelder: Shenzhen BYD Auto R&D Company Limited, BYD Company Limited 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013185523
- Aktenzeichen
- EP13804636
- Anmeldetag
- 16. Mai 2013
- Veröffentlichung
- 19. Dezember 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shenzhen BYD Auto R&D Company Limited
BYD Company Limited - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
BYD
Chinesischer Konzern für Elektromobilität und Batterietechnik mit Sitz in Shenzhen. BYD entwickelt Elektro- und Hybridfahrzeuge, Akkumulatoren sowie Elektronik- und Halbleiterkomponenten.
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