Verfahren zur Herstellung eines Optoelektronischen Halbleiterbauelements mit einer unter Einwirkung von Wärme, Druck und Ultraschall Versinterten Verbindungsschicht

WO2013185839 Art A1 19. Dezember 2013

Anmelder: Osram Opto Semiconductors Gmbh 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013185839
Aktenzeichen: EP12727666
Anmeldetag: 15. Juni 2012
Veröffentlichung: 19. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/58H01L21/60H01L23/373H01L33/48H01L33/62H01L33/64

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Osram Opto Semiconductors Gmbh
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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