Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing composite substrate

WO2013187078 Art A1 19. Dezember 2013

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013187078
Aktenzeichen: EP13804588
Anmeldetag: 14. Juni 2013
Veröffentlichung: 19. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/18C23C16/28C23C16/30H01L21/02H01L21/20H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Chemical Company, Limited
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

4.352 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

147 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von