Charged particle beam generating apparatus, charged particle beam apparatus, high voltage generating apparatus, and high potential apparatus

WO2013187155 Art A1 19. Dezember 2013

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013187155
Aktenzeichen: EP13804506
Anmeldetag: 8. Mai 2013
Veröffentlichung: 19. Dezember 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/248H01J37/067H01J37/16

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

3.840 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von