Thin-film transistor, method for producing a thin-film transistor, and semiconductor device
WO2013187486
Art A1
19. Dezember 2013
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013187486
- Aktenzeichen
- EP13804012
- Anmeldetag
- 13. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 19. Dezember 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786C23C14/08H01L21/203H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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